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減薄機研磨墊圖形大體的功能先是研磨墊之孔隙度可以協(xié)助研磨液于研磨過程輸送到不同的一些區(qū)域。還有另外的功能是協(xié)助將芯片表面的研磨產物移去。研磨墊的機械性質影響到薄膜表面的平坦度以及均勻度，所以控制結構及機械性質是非常重要的。

我們通過減薄研磨的方式對晶片襯底進行減薄，從而改善芯片散熱效果，但是由于減薄后的襯底背后還存在表面損害層，殘余應力會導致減薄后的外延片彎曲且容易在后續(xù)工序中碎裂，從而影響成品率。因此在減薄后應對襯底背光進行拋光。減薄到一定的厚度有利于后期封裝工藝。然后通過機械加工和化學反應的方法對樣品進行一系列減薄研磨拋光的工藝，樣品表面到達所需要的厚度，平整度，粗糙度。

那個在工藝上出現的一些問題需要怎么去解決呢，上蠟后平整度大于正負5um，我們要調整蠟層厚度及上蠟的壓力。減薄后厚度均勻性需要對砂輪進行修平，校正砂輪環(huán)中心固定螺母及球軸承主軸。當減薄后片子出現裂痕我們需要對砂輪進行修銳并檢查減薄步進速率，當研磨拋光后厚度均勻性較差時，我們要用平面度測量規(guī)測量盤面，用小塊的砝碼重力修正，如果研磨或者拋光的過程中有明顯的細微劃痕，我們就要清洗陶瓷盤/環(huán)；檢查磨料/拋光液。

那么使用測厚儀放針的時候，我們應該避免針尖抬起后直接放落，損壞針尖，壓損樣品

說下我們要注意什么事項吧，第一次進行上蠟壓片前檢查上壓盤是否處于水平位置，在減薄機使用前我們應該檢查真空壓力值，砂輪環(huán)使用一段時間后應該及時做修銳工作，在我們使用研磨機之前我們要提前半小時磨料配比及攪拌工作，在對小尺寸樣品進行研磨和拋光工藝時應貼上陪片進行工藝操作。